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MUBW 35-12 A7
Input Rectifier Bridge D11 - D16
A s
120
A
200
A
50Hz, 80% V RRM
10 3
2
T VJ = 45°C
I F
100
80
T VJ = 125°C
160
I FSM
T VJ = 45°C
I 2 t
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
120
60
80
40
20
40
T VJ = 125°C
0
0
10 2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0 V
2.5
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 ms 9 10
V F
Fig. 1 Forward current versus voltage
drop per diode
800
W
600
P tot
400
t
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
t
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
100
A
80
I d(AV)
60
40
5 K/W
200
20
0
0
0
40
80
120
A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
I d(AV)M
T amb
T C
Fig. 4
Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin 180°
Fig. 5 Max. forward current versus
case temperature
1.2
K/W
1.0
Z thJC
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
DWFN21-16
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
? 2004 IXYS All rights reserved
t
5-8
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